プラズマ微細加工（プラズマエッチング）装置 TEP-01x／Xd
概略
- TEP-01xは、アクリルなどのプラスチック材料、SiO2(石英・水晶)やLiNbO3( ニオブ酸リチウム)などの圧電材料、チタニウムなどの難加工性材料など、シリコン以外の“非”半導体材料に特化して高平滑面・高アスペクト比の微細加工を可能としたユニークなプラズマエッチング装置
- これまでエッチング加工が困難であった多様な基板材料に低価格で対応！プラスチック製マイクロ流体チップ加工をはじめとしてプラスチック材料、圧電材料、難加工性材料の高アスペクト比微細加工など、さまざまなMEMSデバイスの試作に最適
特長
- 真空チャンバ容積に対して大容量の排気ポンプを採用することで、エッチング反応生成物の高速排気が可能
- 磁場支援容量結合プラズマにより低プロセス圧領域（＜0.1Pa）での高密度プラズマ生成が可能
- 高エッチングレートと高平滑面を実現
- 塩素系ガス不使用
- 多様な適用可能材料（各種プラスチック材料・圧電材料・難加工性材料）
用途
- 各種プラスチック基板、圧電材料基板上への微細構造加工、デバイス試作
光学素子・水晶振動子・SAWデバイス加工など
マイクロ流路チップ・マイクロTASデバイス作製
高アスペクト比ピラー構造などの難加工材料の加工 - 基板のアッシングや表面改質など
対応材料
- 各種プラスチック材料
アクリル、ポリカーボネート、シクロオレフィン系樹脂、フッ素系樹脂など - 圧電材料
SiO２（石英）、LiNbO3（ニオブ酸リチウム）など - 難加工性材料
Ti（チタニウム）など
エッチング加工例
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アクリル
流路幅：200μm ピラー：□13.5μm
ピッチ：3.2μm 深さ：36μm -
アクリル
□10μm 高さ：20μm
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ポリカーボネート
ライン：2μm スペース：5μm 高さ：20μm
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シクロオレフィンポリマー
ライン：3μm スペース：10μm 高さ：22μm
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シクロオレフィンポリマー
直径：5μm 高さ：20μm
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ポリスチレン
直径：10μm 深さ：20μm
仕様
ご要望･ご予算に合わせたカスタマイズに対応が可能です。
標準仕様
| プラズマ生成方式 | マグネトロン型 （磁場支援型 容量結合方式） |
|---|---|
| チャンバ内寸 | φ150mm×H120mm （上部蓋：石英製） |
| 処理可能基板サイズ | 最大φ78mm（3インチ） |
| ステージ冷却 | 絶縁冷媒循環方式 |
| 主排気ポンプ | ターボ分子ポンプ （350L/sec） |
| 高周波電源 | 13.56MHz / Max.150W （オートマッチング方式） |
| プロセスガス導入制御 | マスフローコントローラ （標準3ライン） |
| 真空計 | ピラニ真空計、マルチイオンゲージ、キャパシタンスマノメータ |
| 運転方式 | タッチパネル入力によるPLC自動制御 （一部タッチパネルおよびハンドル操作による手動操作） |
| 外形寸法 | 装置本体部：615W×610D×1150H 制御部： 570W×600D×1600H （ハンドル等の突起部を除く） |
| 重量 | 装置本体部：100kg以下 制御部： 200kg以下 |
| オプション |
|
|---|
※その他、ご相談に応じます。
所要用力
| 供給電源 | AC 220V ±10% 3φ 10A D種接地 AC 110V ±10% 1φ 30A D種接地 |
|---|---|
| エア | 供給圧力 0.5MPa以上 |
| ガス | プロセスガス／パージガス供給圧力 0.1MPa以上 |
| 排気ダクト | 補助排気ポンプ用 |
※その他、ご相談に応じます。
装置構成図
| MFC1-3 | ：マスフローコントローラ |
| VGas1-3 | ：プロセスガス導入バルブ |
| VL1-2 | ：リークバルブ |
| VM（GATE） | ：メインバルブ（ゲートバルブ） |
| VF | ：フォアバルブ |
| VR | ：ラフバルブ |
| GP | ：ピラニ真空計 |
| GI | ：マルチイオンゲージ |
| GCM | ：キャパシタンスマノメータ |
| VISO1-2 | ：アイソレーションバルブ |
| TMP | ：ターボ分子ポンプ |
| RP | ：油回転ポンプ（350L/sec） |
| RFG | ：高周波電源（Max.300W） |
| AMU | ：自動整合 |
| RC | ：反応室 |
| Mag | ：マグネット |
※仕様・寸法などについては予告なしに変更することがありますので、ご了解ください。
